[Wirtschaft] Halbleiterfertigung: TSMCs 2nm-Fertigung soll 2025 beginnen


Sowohl N2 als auch N2P setzen auf GAAFET-Transistoren (Gate-All-Around-Field-Effect-Transistor). Dabei werden Nanodrähte von der Gate-Elektrode vollständig umgeben. Neben kompakterer Bauform ermöglicht die Bauweise eine feinere Spannungssteuerung…
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