…auf GAAFET-Transistoren (Gate-All-Around-Field-Effect-Transistor). Dabei werden Nanodrähte von der Gate-Elektrode vollständig umgeben. Neben kompakterer Bauform ermöglicht die Bauweise eine feinere Spannungssteuerung… [Wirtschaft]…
Originalartikel lesen: [Wirtschaft] Halbleiterfertigung: TSMCs 2nm-Fertigung soll 2025 beginnen
