Die Arbeit wird in der Zeitschrift veröffentlicht Nachrichtentechnik. Mingshan Liu et al, Vertikale GeSn-Nanodraht-MOSFETs für CMOS jenseits von Silizium, NachrichtentechnikDOI: 10.1038/s44172-023-00059-2 Zur Verfügung gestellt vom…
Originalartikel lesen: Forscher entwickeln neuen Germanium-Zinn-Transistor als Alternative zu Silizium